Исследователи НИУ МИЭТ предложили методику для определения оптимальных режимов синтеза наноматериалов, которые применяются в современной электронной технике. Предложенная схема позволит получать более качественные полупроводниковые структуры для элементов оперативной и энергонезависимой памяти в компьютерах и смартфонах.
Описанные результаты опубликованы в журнале Surfaces and Interfaces. В настоящий момент для создания приборов, предназначенных для хранения и обработки цифровой информации, широко используются полупроводниковые материалы.
Учёные Национального исследовательского университета «МИЭТ» (НИУ МИЭТ) отмечают, что вычислительные возможности таких устройств в значительной степени зависят от химической чистоты и упорядоченности их структуры. «Разработка современных устройств начинается с управляемого роста новых материалов, одним из примеров которых являются тонкие плёнки соединения германия, сурьмы и теллура.»
Однако процесс образования подобных элементов